|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| phương pháp tăng trưởng: | Phương pháp Czochralski | Cấu trúc tinh thể: | M3 |
|---|---|---|---|
| Hằng số ô đơn vị: | a = 5,65754 Å | Mật độ (g / cm3): | 5.323 |
| Điểm nóng chảy (℃): | 937,4 | Định hướng tinh thể: | <100>, <110>, <111>, ± 0,5º |
| Ra: | ≤5Å (5µm × 5µm) | Đánh bóng: | đơn hoặc đôi |
| Điểm nổi bật: | Ge bán dẫn Wafer,Ge đế IC Industry,M3 Semiconductor Wafer |
||
Ngành công nghiệp vi mạch và tia hồng ngoại Ge Chất nền Ge wafer bán dẫn
Gecmani là một nguyên tố hóa học vớiBiểu tượngGe vànguyên tử số32. Nó bóng, cứng, giòn,Trắng xám kim bộitrong carbontập đoàn,về mặt hóa họctương tự nhưnó lànhóm hàng xómsilicon và thiếc.Ge đơn tinh thể là chất bán dẫn tuyệt vời cho ngành công nghiệp vi mạch và hồng ngoại.
Tính chất:
| Phương pháp tăng trưởng | Phương pháp Czochralski | ||
| Cấu trúc tinh thể | M3 | ||
| Hằng số ô đơn vị | a = 5,65754 Å | ||
| Mật độ (g / cm3) | 5.323 | ||
| Điểm nóng chảy (℃) | 937,4 | ||
| Vật liệu pha tạp chất | Không pha tạp | Sb-doped | In / Ga –doped |
| Loại | / | n | P |
| Điện trở suất | ＞ 35Ωcm | 0,05Ωcm | 0,05 ~ 0,1Ωcm |
| EPD | ＜ 4 × 103 ∕ cm2 | ＜ 4 × 103 ∕ cm2 | ＜ 4 × 103 ∕ cm2 |
| Kích cỡ | 10x3,10x5,10x10,15x15,, 20x15,20x20, | ||
| dia2 ”x 0,33mm dia2” x 0,43mm 15 x 15 mm | |||
| Độ dày | 0,5mm, 1,0mm | ||
| Đánh bóng | Đơn hoặc đôi | ||
| Định hướng tinh thể | <100>, <110>, <111>, ± 0,5º | ||
| Ra | ≤5Å (5µm × 5µm) | ||
Thuận lợi:
1.Sb/N pha tạp
2. không pha tạp
3. chất bán dẫn
Ảnh chụp sản phẩm:
Câu hỏi thường gặp:
1.Q: Bạn có phải là nhà máy sản xuất?
A: Vâng, chúng tôi là nhà sản xuất với 13 năm kinh nghiệm trong ngành công nghiệp pha lê scintillator và cung cấp nhiều thương hiệu nổi tiếng với chất lượng và dịch vụ tốt.
2.Q: Đâu là thị trường chính của bạn?
A: Châu Âu, Châu Mỹ, Châu Á.
Người liên hệ: Ivan. wang
Tel: 18964119345
