|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Tên sản phẩm: | Lớp nền Al2O3, tấm mỏng tinh thể Sapphire | Công thức hóa học: | Al2O3 |
|---|---|---|---|
| Kích cỡ: | 10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20, Dia15, Dia 20, Dia 1 '' | độ dày: | 0,5 mm, 1,0 mm |
| Đánh bóng: | SSP hoặc DSP | Hằng số mạng: | a = 4,748Å c = 12,97Å |
| Góc của tinh thể: | Kích thước và định hướng đặc biệt có sẵn theo yêu cầu | Ra: | ≤5Å （5µm × 5µm） |
| Điểm nổi bật: | Tấm lót tinh thể Sapphire 1,0 mm,Lớp nền 9 Mho Al2O3 |
||
Khả năng chịu nhiệt độ cao và độ cứng Tấm nền tinh thể Sapphire Al2O3
Tinh thể sapphire có đặc tính nhiệt tốt, tính chất điện và tính chất điện môi tuyệt vời, và khả năng ổn định nhiệt tốt, dẫn nhiệt, thấm tia hồng ngoại, ổn định hóa học, độ cứng cao, chống ăn mòn hóa học, Sapphire, Al2O3 được sử dụng rộng rãi trong công nghiệp, quốc phòng và nghiên cứu khoa học ( chẳng hạn như cửa sổ hồng ngoại nhiệt độ cao, v.v.).Nó cũng được sử dụng rộng rãi trong vật liệu nền đơn tinh thể.
Tính chất:
| Độ tinh khiết pha lê | > 99,99% |
| Điểm nóng chảy (℃) | 2040 |
| Mật độ (g / cm3) | 3,98 |
| Độ cứng (Mho) | 9 |
| Sự giãn nở nhiệt | 7,5 (x10-6/oC) |
| Nhiệt dung riêng | 0,10 (cal /oC) |
| Dẫn nhiệt | 46.06 @ 0oC 25,12 @ 100oC, 12,56 @ 400oC (W / (mK)) |
| Hằng số điện môi | ~ 9,4 @ 300K tại trục A ~ 11,58 @ 300K tại trục C. |
| Mất Tangent ở 10 GHz | <2x10-5tại trục A, <5 x10-5tại trục C |
Thuận lợi:
1. dẫn nhiệt
2. độ cứng cao
3. truyền hồng ngoại
4. ổn định hóa học tốt
Ảnh chụp sản phẩm:
Câu hỏi thường gặp:
1.Q: Bạn có phải là nhà máy sản xuất?
A: Vâng, chúng tôi là nhà sản xuất với 13 năm kinh nghiệm trong ngành công nghiệp pha lê scintillator và cung cấp nhiều thương hiệu nổi tiếng với chất lượng và dịch vụ tốt.
2.Q: Đâu là thị trường chính của bạn?
A: Châu Âu, Châu Mỹ, Châu Á.
Người liên hệ: Ivan. wang
Tel: 18964119345
