|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Độ tinh khiết pha lê: | > 99,99% | Điểm nóng chảy (℃): | 2040 |
|---|---|---|---|
| Mật độ (g / cm3): | 3,98 | Độ cứng (Mho): | 9 |
| Sự giãn nở nhiệt: | 7,5 (x10-6 / oC) | nhiệt dung riêng: | 0,10 (cal / oC) |
| Dẫn nhiệt: | 46,06 @ 0 oC 25,12 @ 100 oC, 12,56 @ 400 oC (W / (m.K)) | Hằng số điện môi: | ~ 9,4 @ 300K tại trục A ~ 11,58 @ 300K tại trục C. |
| Mất Tangent ở 10 GHz: | <2x10-5 tại trục A, <5 x10-5 tại trục C. | ||
| Làm nổi bật: | Tinh thể đơn Sapphire Al2O3,3,98g / cm3 Lớp nền Al2O3 |
||
Truyền hồng ngoại dẫn nhiệt tốt Tấm nền tinh thể Sapphire Al2O3
Sapphire (Al2O3) đơn tinh thể là một vật liệu đa chức năng tuyệt vời.Nó có khả năng chịu nhiệt độ cao, dẫn nhiệt tốt, độ cứng cao, truyền tia hồng ngoại và ổn định hóa học tốt.Nó được sử dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực công nghiệp, quốc phòng và nghiên cứu khoa học (như cửa sổ hồng ngoại nhiệt độ cao).
Tính chất:
| Độ tinh khiết pha lê | > 99,99% |
| Điểm nóng chảy (℃) | 2040 |
| Mật độ (g / cm3) | 3,98 |
| Độ cứng (Mho) | 9 |
| Sự giãn nở nhiệt | 7,5 (x10-6/oC) |
| Nhiệt dung riêng | 0,10 (cal /oC) |
| Dẫn nhiệt | 46.06 @ 0oC 25,12 @ 100oC, 12,56 @ 400oC (W / (mK)) |
| Hằng số điện môi | ~ 9,4 @ 300K tại trục A ~ 11,58 @ 300K tại trục C. |
| Mất Tangent ở 10 GHz | <2x10-5tại trục A, <5 x10-5tại trục C |
Thuận lợi:
1. dẫn nhiệt
2. độ cứng cao
3. truyền hồng ngoại
4. ổn định hóa học tốt
Ảnh chụp sản phẩm:
Câu hỏi thường gặp:
1.Q: Bạn có phải là nhà máy sản xuất?
A: Vâng, chúng tôi là nhà sản xuất với 13 năm kinh nghiệm trong ngành công nghiệp pha lê scintillator và cung cấp nhiều thương hiệu nổi tiếng với chất lượng và dịch vụ tốt.
2.Q: Đâu là thị trường chính của bạn?
A: Châu Âu, Châu Mỹ, Châu Á.
Người liên hệ: Ivan. wang
Tel: 18964119345
Fax: 86-021-63063530
